特許
J-GLOBAL ID:200903050207486658

光カプラと半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三俣 弘文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-033950
公開番号(公開出願番号):特開平6-029628
出願日: 1993年02月01日
公開日(公表日): 1994年02月04日
要約:
【要約】【目的】 拡大空洞利得手段のようなその他のデバイスと集積させることのできる広範囲可同調波長選択カプラのモノリシック実装を実現する。【構成】 可同調波長選択カプラは、上部導波路16および下部導波路18を支持し、前記導波路間に光エネルギーを結合する。下部導波路18の一端は出力ファセット20で終わる。上部導波路の対応する端部21は、光信号吸収媒体内で終わる。下部導波路の他の端部19は、光エネルギーが導波路内に進入することを防止するように遮られている。また、上部導波路16の対応する端部は入力ファセットで終わる。利得区画12とモノリシック可同調波長選択カプラ10との組み合わせにより、波長分割多重化網およびスイッチングシステムなどのような多くの用途に適した重要な光エネルギー源となる広範囲可同調レーザが形成される。
請求項(抜粋):
モノリシック平坦構造支持体と,それぞれ第1端部および第2端部を有する上部導波路(16)および下部導波路(18)と,或る波長で上部導波路および下部導波路間で光カップリングを起こすように配置された光カップリング手段(n-InP)と、からなり、前記光カップリング手段により前記下部導波路(18)に結合されなかった光エネルギーが、前記上部導波路(16)に再入することを防止するために、前記上部導波路(16)の第1端部は終端形成(21)されており,前記下部導波路(18)の対応する第1端部は、第1ファセット(20)において終端しており,前記上部導波路(16)の第2端部は、光信号を通過させる第2ファセット(19)で終端している,ことを特徴とする光カプラ。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 31/12
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平2-063012
  • 特開昭64-111395
  • 特開昭56-116683
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