特許

J-GLOBAL ID：200903050207916504

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

発明者： 星 保幸
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275843
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003205
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】コレクタショート型IGBTにおいてオン時にバッファ層から逆導電型のコレクタ層に流れ込むキャリアが減少することにより、I-V特性に負性抵抗が発生し、損失がふえる問題を解決する。【構成】コレクタショート領域をコレクタ層面内に分散せず、コレクタ電極に接触し第二導電型のコレクタ層を貫通する第一導電型の、例えば柱状の領域を複数のセルについて1個設けて、オン時にバッファ層からのキャリアを集中して流れ込ませることにより、伝導度変調を促進する。あるいはさらにコレクタ電極と第一導電型の領域との間にショットキーバリアを形成する。また、バッファ層とコレクタ層をエピタキシャル法で形成する。

請求項（抜粋）：

第一導電型の第一層の一側の表面層内に選択的に第二導電型のベース領域が形成され、そのベース領域の表面層内に選択的に第一層の露出部をはさんで第一導電型のエミッタ領域が形成され、第一層の他側に第一導電型で高不純物濃度のバッファ層を介して第二導電型のコレクタ層が形成され、ベース領域の第一層の露出部とエミッタ領域にはさまれた部分をチャネル領域として、その表面上にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極、エミッタ領域およびベース領域に共通に接触するエミッタ電極ならびにコレクタ層に接触するコレクタ電極を備えたセル構造の複数個を一つの半導体素子内に有するものにおいて、コレクタ電極に接触し、コレクタ層を貫通してバッファ層に達する第一導電型の領域が複数のセル構造について1個設けられたことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/78 321 J