特許

J-GLOBAL ID：200903050214608750

絶縁膜の寿命推定方法及び半導体装置の管理方法

発明者： 岡田 健治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000003871
公開番号（公開出願番号）：WO2000-077845
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月21日
要約：

【要約】半導体装置に用いられる絶縁膜に印加されるストレス電圧の変化に対して、絶縁膜が絶縁破壊するまでに絶縁膜に注入される電子の合計量である総注入電子量QBDが一定となるときの値を臨界注入電子量QBDcritとして求める。その後、半導体装置の実使用条件下において絶縁膜に注入される電子の合計量が臨界注入電子量QBDcritに達するまでに要する時間を絶縁膜の寿命として推定する。

請求項（抜粋）：

半導体装置に用いられる絶縁膜が絶縁破壊するまでに要する時間を前記絶縁膜の寿命として推定する絶縁膜の寿命推定方法であって、 前記絶縁膜と同一仕様のテスト用絶縁膜に課されるストレス条件と、前記テスト用絶縁膜に流れるAモードストレス誘起リーク電流の時間変化の両対数プロットにおける傾きが低下し始めるまでに要する時間、又は前記テスト用絶縁膜に流れるFN電流が減少し始めるまでに要する時間との相関関係を求める工程と、 前記テスト用絶縁膜に第1のストレス条件を課して前記テスト用絶縁膜が絶縁破壊するまでに要する第1の絶縁破壊時間を実測する工程と、 前記相関関係と前記第1の絶縁破壊時間とに基づき、第2のストレス条件が課された前記絶縁膜が絶縁破壊するまでに要する第2の絶縁破壊時間を推定する工程とを備えていることを特徴とする絶縁膜の寿命推定方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00 ,  G01R 31/12 ,  G01R 31/26 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/66 Q ,  H01L 21/66 H ,  G01N 27/00 Z ,  G01R 31/12 ,  G01R 31/26 B ,  H01L 29/78 301 T