誘電体フィルムの堆積方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230269
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190522
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】集積回路の製造プロセスで使用するための炭化珪素層の形成方法を提供する。【解決手段】炭化珪素層は、珪素源、炭素源及びドーパントを含む混合ガスを電界の存在下で反応させて形成する。堆積された炭化珪素層の圧縮率は、層形成の間における混合ガス中のドーパントの量の関数として変化する。

請求項（抜粋）：

薄膜の堆積方法であって、(a)堆積チャンバ内で基板を位置決めするステップと、(b)珪素源、炭素源、及びドーパントを含む混合ガスを、前記堆積チャンバに供給するステップと、(c)前記混合ガスを電界の存在下で反応させて、前記基板の上に圧縮率が前記混合ガス中のドーパントの量の関数として変化する炭化珪素層を形成するステップとを有する堆積方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , C23C 16/42 , H01L 21/314

FI (3件)：

C23C 16/42 , H01L 21/314 A , H01L 21/90 K

Fターム (69件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA20 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA20 , 4K030BA37 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA14 , 4K030JA16 , 4K030LA15 , 4K030LA19 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ28 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033WW08 , 5F033WW09 , 5F033XX03 , 5F033XX28 , 5F033XX34 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BF17 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF27 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ10

引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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