特許

J-GLOBAL ID：200903050218887204

AlGaAs膜形成方法

発明者： 藤枝 信次
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308111
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140332
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜として高い性能を持つ砒化アルミニウムガリウム混晶膜を燐化インジウム上に形成する。【構成】 燐化インジウム上に、およそ200°CでAlx Ga1-x As(0≦x≦1)層を分子線エピタキシー法により成長させた後、これをおよそ500°C以上700°C以下の温度において砒素圧を加えながら熱処理する。加えて、およそ200°Cで成長させるAlx Ga1-x As層の膜厚を10nm(ナノメートル)以上に設定する。

請求項（抜粋）：

熱処理工程を有し、InP上にAlGaAs膜を形成するAlGaAs膜形成方法であって、熱処理工程は、表面自然酸化膜を除去したInP(燐化インジウム)上に、およそ200°CでMBE(分子線エピタキシー)法により成長させたAlx Ga1-x As(砒化アルミニウムガリウム混晶,0≦x≦1)層を、およそ500°C以上700°C以下の温度において、砒素圧を加えながら熱処理する工程であることを特徴とするAlGaAs膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/314 ,  H01L 29/784