特許

J-GLOBAL ID：200903050219380995

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 栗林 均 ,  国原 健二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285417
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050446
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】ウエットエッチングを行なうことなく電流流路を形成し、再成長層の結晶性を改善して良特性の半導体レーザ素子を得る。【構成】GaAs半導体基板上にバッファ層,第一クラッド層,活性層,第二クラッド層,または第二クラッド層上にキャップ層を付加してこの順に積層した後、電流流路に相当する領域を残して電流阻止層を形成し、さらに第三クラッド層,コンタクト層を順次形成することにより、メサ部なしで電流流路が得られる。したがって、メサ部を形成するためのウエットエッチングを行なわないので加工精度が高く、しかも第三クラッド層を結晶性よく再成長させるので、得られた半導体レーザ素子は、光学特性のばらつきが少なく、発振しきい値電流が低く微分効率が向上し、素子特性の再現性もよい。

請求項（抜粋）：

第一導電型のGaAs半導体基板の一主面上に第一導電型のAlGaAsバッファ層,第一導電型のAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0.3<X<1),第一クラッド層,Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-Y </SB>As(0<Y<0.2)活性層,第二導電型のAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-x </SB>As第二クラッド層をこの順に積層した後、電流流路に相当する領域を残して第一導電型のGaAs電流阻止層を形成し、さらに第二導電型のAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-x </SB>As第三クラッド層,第二導電型のGaAsオーミックコンタクト層を順次形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。