特許
J-GLOBAL ID：200903050221870460
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217685
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055358
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、特に張り合わせSOI基板にトレンチ型素子分離帯を形成する方法に関し、素子形成領域内に素子分離帯形成に起因する結晶欠陥が発生するのを防止することを目的とする。【構成】 半導体基板1表面に形成した基板絶縁膜2に開口部2Aを設けて半導体基板1の表面を表出させ、表出した表面から半導体基板1内に開口部2Aより幅が狭いトレンチ1Aを形成し、半導体基板1のトレンチ1A開口部のエッジを等方性エッチングにより除去した後、そのトレンチ1A部に熱酸化膜1bを形成し、更に熱酸化膜1b上にCVD法により絶縁膜3を被着し、その後半導体基板1に基板絶縁膜2を介して支持基板4を張り付けるように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1) 表面に基板絶縁膜(2) を形成する工程と、該基板絶縁膜(2) に開口部(2A)を設けて該半導体基板(1)の表面を表出させる工程と、該半導体基板(1) の表出した表面から該半導体基板(1) 内に該開口部(2A)より幅が狭いトレンチ(1A)を形成する工程と、該半導体基板(1) の該トレンチ(1A)開口部のエッジを除去する工程と、該半導体基板(1) の該トレンチ(1A)部に熱酸化膜(1b)を形成する工程と、該熱酸化膜(1b)上にCVD法により絶縁膜(3) を被着する工程と、該半導体基板(1) に該基板絶縁膜(2) を介して支持基板(4) を張り付ける工程とを、この順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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