特許
J-GLOBAL ID：200903050223899121
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127341
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326445
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 タングステン薄膜の内部応力を小さく調整する。【構成】 ゲート酸化膜2上に、直流マグネトロン・スパッタ法により、ガス圧力を20〜25〔mTorr〕としたアルゴンガスを用いて、膜厚50〜100〔nm〕のタングステン薄膜3を形成する。このタングステン薄膜3の内部応力は、引っ張り応力となる。このタングステン薄膜3上に、直流マグネトロン・スパッタ法により、ガス圧力を5〜15〔mTorr〕としたアルゴンガスを用いて、膜厚50〜150〔nm〕のタングステン薄膜4を形成する。このタングステン薄膜4の内部応力は、圧縮応力となる。内部応力が引っ張り応力であるタングステン薄膜3上に、内部応力が圧縮応力であるタングステン薄膜4を形成することで、内部応力を互いに相殺させ、総合的に内部応力の小さなタングステン薄膜3,4を得ることができる。
請求項（抜粋）：
スパッタ法によりアルゴンガスを用いてタングステン薄膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記アルゴンガスのガス圧を15〜20〔mTorr〕を境にして前後する値に交互に設定し、各ガス圧ごとに所定の膜厚を有するタングステン薄膜を少なくとも2層以上積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/203
, H01L 29/784
