特許
J-GLOBAL ID：200903050225364098
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222712
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078747
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 パターン形成方法に関し,線幅のばらつきを抑え, レジストパターンの寸法制御性を向上する。【構成】 1)下地の上にレジスト膜を被着し,露光,現像してレジストパターンを形成する際に,現像可能な最低露光量(Eth) とレジスト膜厚との関係図における Ethの極大値と極小値の値の差を小さくするように, 該下地の反射率を調整する,2)該レジストの露光光に対する吸収率を調整する,3)前記1)及び前記2)の調整を組み合わせる。
請求項（抜粋）：
下地の上にレジスト膜を被着し,露光,現像してレジストパターンを形成する際に,現像可能な最低露光量(Eth) とレジスト膜厚との関係図における Ethの極大値と極小値の値の差を小さくするように, 該下地の反射率を調整することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
