特許
J-GLOBAL ID：200903050226964668
不揮発性メモリの書き込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
斎藤 春弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177701
公開番号（公開出願番号）：特開平7-084894
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性メモリの書換中に電源機能がダウンするようなことがあっても,デ-タ類の書込不良を起こす恐れがないようにする。【構成】 不揮発性メモリに運用メモリ領域5とバックアップ用メモリ領域4とを設け,運用メモリ領域5とバックアップ用メモリ領域4とを時間的に連続して書き込むようにした。上述した先行して書き込むメモリ領域には,デ-タ書き込み後にフラグ4eをセットし,後続して書き込むメモリ領域にデ-タ書き込み完了後に前記フラグ4eをリセットするようにするのが望ましく,また,バックアップ用メモリ領域4に,少なくとも,書き込みデ-タ4aと,書き込みデ-タの標識4bと,チェックデ-タ4dとを書き込むようにするのが望ましい。さらに,バックアップ用メモリ領域4に運用メモリ領域5よりも先行してデ-タを書き込むようにするのが望ましい。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリの書き込み方法において,不揮発性メモリに運用メモリ領域とバックアップ用メモリ領域とを設け,デ-タ書き込み時には,運用メモリ領域とバックアップ用メモリ領域とを時間的に連続して書き込むようにしたことを特徴とする不揮発性メモリの書き込み方法。
IPC (3件)：
G06F 12/16 340
, G06F 12/16 310
, G11C 16/06
