半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-170004
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012694
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造に際して、リダンダンシー工程の時間を有効に活用し、半導体ウエハの各チップ領域を個々に分離するための工程を簡略化する。【解決手段】ウエハ1上に形成されたヒューズ素子5を有する各チップ領域4の電気的特性を測定して不良箇所を検知する第1回目のダイソート工程と、不良を救済するためにヒューズ素子を第1のレーザ光2により選択的に溶断すると同時に、2系統以上の第2のレーザ光10、11によりダイシングライン12をある程度の深さまで溶断しておくリダンダンシー・ダイシング工程と、ウエハの裏面を削るラッピング工程と、ダンダンシー工程による不良救済の結果を確認する第2回目のダイソート工程と、周縁部がリング15に貼られた粘着テープ16上にウエハをマウントし、物理的力を印加して個々のチップ領域に分割するウエハマウント・クラッキング工程を具備する。

請求項（抜粋）：

レーザ光により溶断制御されるヒューズ素子が形成されたチップ領域を半導体ウエハ上に形成する工程と、前記半導体ウエハ上の各チップ領域の電気的特性を測定して不良箇所を検知する第1回目のダイソート工程と、前記不良箇所を冗長素子に置換して不良を救済するために前記ヒューズ素子を第1のレーザ光により選択的に溶断すると同時に、前記リダンダンシーで使用する第1のレーザ光とは異なる2系統以上の第2のレーザ光によりダイシングラインをある程度の深さまで溶断しておくリダンダンシー・ダイシング工程と、前記半導体ウエハの裏面を削るラッピング工程と、前記ダンダンシー工程による不良救済の結果を確認する第2回目のダイソート工程と、周縁部がリングに貼られた粘着テープ上に前記半導体ウエハをマウントし、物理的力を印加して個々のチップ領域に分割するウエハマウント・クラッキング工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/82 , H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/82 T , H01L 21/78 V , H01L 21/82 R

Fターム (4件)：

5F064FF02 , 5F064FF27 , 5F064FF42 , 5F064FF50

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-099796 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭56-129340

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