特許
J-GLOBAL ID:200903050233292020

ナノストラクチャの電気誘発性破壊のためのシステムおよび方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-554893
公開番号(公開出願番号):特表2004-517489
出願日: 2001年12月21日
公開日(公表日): 2004年06月10日
要約:
【課題】ナノストラクチャの電気誘発性破壊のためのシステムおよび方法を提供すること。【解決手段】デバイスを形成する方法を提供する。この方法では、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を含む絶縁基板を用意する。この方法ではさらに、基板と接触した金属性および半導電性コンポーネント・ナノチューブを含むカーボン・ナノチューブ束を形成する。この方法ではさらに、ゲート電極に電圧を印加して、半導電性コンポーネント・ナノチューブのキャリアを枯渇させ、ナノチューブを通してソース電極からドレイン電極に電流を流し、少なくとも1つの金属性コンポーネント・ナノチューブを破壊して、電界効果トランジスタを形成する。カーボン・ナノチューブ束は、多壁ナノチューブまたは単壁ナノチューブ・ロープとすることができる。【選択図】図16
請求項(抜粋):
基板を用意する段階と、 前記基板と接触した複数のナノチューブを形成する段階と、 電流を使用してナノチューブを選択的に破壊する段階 を含むデバイス形成方法。
IPC (3件):
H01L29/06 ,  B82B3/00 ,  H01L29/786
FI (3件):
H01L29/06 601N ,  B82B3/00 ,  H01L29/78 618B
Fターム (4件):
5F110AA30 ,  5F110DD01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG58
引用文献:
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