特許
J-GLOBAL ID:200903050237493861

半導体装置の実装構造およびその実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-083266
公開番号(公開出願番号):特開2001-267475
出願日: 2000年03月21日
公開日(公表日): 2001年09月28日
要約:
【要約】【課題】 放熱性を良好に確保できる半導体装置の実装構造および放熱性が良好に確保できる様に半導体装置を容易に組み付けることができる実装方法を提供する。【解決手段】 半導体素子1とヒートシンク5とを有し、ヒートシンク5の一面側には半導体素子1が接合され、他面側は放熱面51となっている半導体装置10の放熱面51と、冷却部材12との間に、熱伝導性を有する絶縁基板21の両面に熱伝導性を有するシリコンゲルを塗付して硬化させてなる放熱絶縁基板40を介在させて圧接させている。
請求項(抜粋):
半導体素子(1)と、一面に前記半導体素子(1)が電気的に接続され、他面が放熱面(51)となっているヒートシンク(5)とを備え、前記放熱面(51)に冷却部材(12)を設けてなる半導体装置の実装構造において、前記放熱面(51)と前記冷却部材(12)とは、熱伝導性を有する絶縁基板(21)を挟んで積層されており、前記放熱面(51)と前記絶縁基板(21)との間、および前記絶縁基板(21)と前記冷却部材(12)との間には、熱的な接触を確保するための放熱材(31、32)が介在されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
IPC (2件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L 23/36 A ,  H01L 23/12 J
Fターム (1件):
5F036BE01
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特開昭50-036074
  • 特開昭52-102678
審査官引用 (4件)
  • 特開昭50-036074
  • 特開昭50-036074
  • 特開昭52-102678
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