特許

J-GLOBAL ID：200903050237709333

近接露光装置

発明者： 斉田 雅裕 ,  山中 立夫 ,  長谷川 一也 ,  小柳 秀昭 ,  別所 正治 ,  永井 新一郎
出願人/特許権者： 日本精工株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-125408
公開番号（公開出願番号）：特開2007-298656
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】より小さなマスクで大きな基板への露光を可能して低コスト化及びパターン精度の高精度化を図り、更に、基板上により多彩なパターンの作成を可能にする。【解決手段】被露光材としての基板Wを保持する基板ステージ2と、露光すべきパターンを有するマスクMと、該マスクMを保持するマスクステージ1とを備え、前記基板Wと前記マスクMとを微少すき間を介した状態で該マスクMのパターンを前記基板Wに露光転写する近接露光装置において、前記基板ステージ2を前記マスクMに対して二次元方向に相対的にステップ移動させるX軸ステージ送り機構70x及びY軸ステージ送り機構70yを備え、各ステップ毎に該マスクMのパターンを前記基板Wに露光転写する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被露光材としての基板を保持する基板ステージと、露光すべきパターンを有するマスクと、該マスクを保持するマスクステージとを備え、前記基板と前記マスクとを微少すき間を介した状態で該マスクのパターンを前記基板に露光転写する近接露光装置において、 前記基板ステージを前記マスクに対して二次元方向に相対的にステップ移動させるステージ送り機構を備え、各ステップ毎に該マスクのパターンを前記基板に露光転写することを特徴とする近接露光装置。

IPC (1件)：

G03F 7/20

FI (1件)：

G03F7/20 501

Fターム (3件)：

2H097GA02 ,  2H097GA07 ,  2H097GA45