特許
J-GLOBAL ID：200903050243465047
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148351
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316529
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【課題】 光の取出効率を向上させると共に電極間の抵抗成分を低く抑える。【解決手段】サファイア基板1上にn型の窒化ガリウム系化合物半導体から成るn層4と、n層4に接合するp型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成る層5とを有する発光素子において、基板1をリードフレーム40の上に載置し、層5の表面に形成された透明導電膜から成る第1の電極7と、層5の側からn層4に接続するように形成された第2の電極8と、電極7、8の上にNiとAuの2重層構造の取出電極を形成し、その取出電極とリードピン41、42とを金線で接続した。第1の電極に対してスポットで電流を注入させても、第1の電極全体を均一の電位とし、第1の電極の下方の全面から発光し、透明な第1の電極の側から光が取り出される。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された、n型又はp型の一方の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成る第1の層とn型又はp型の他方の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成る第2の層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記第1の層の表面に形成された第1の電極と、前記第1の層の一部が除去された前記第2の層の露出部分に形成された第2の層に対する第2の電極と、前記基板を載置するリードフレームと、前記第1の電極と導線により接続された第1のリードピンと、前記第2の電極と導線により接続された第2のリードピンとを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
