特許
J-GLOBAL ID：200903050243880877
半導体装置およびこれを使用した発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289468
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126922
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 耐熱性および高電気伝導度を有する半導体装置およびこれを使用した発光素子を提供する。【解決手段】 熱的に十分に安定なダイヤモンドを利用したダイヤモンドp型半導体膜11に、リンをドープしたダイヤモンドn型半導体膜12をpn接合して半導体装置10を構成し、この半導体装置10にオーミック電極21a,21bを対をなして挟むように設けて発光素子20を構成した。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンドp型半導体膜と、リンをドープしたダイヤモンドn型半導体膜とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, C30B 29/04 W
