特許
J-GLOBAL ID：200903050246584888
ドライエッチング装置及びその方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148904
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022390
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 エッチングダメージを抑制した拡散方式のドライエッチング装置及びその方法を提供する。【構成】 電子サイクロトロン共鳴放電またはヘリコン波による放電などを利用したプラズマを発生するためのプラズマ発生部2と、プラズマ発生部2に接続され、かつ試料1がステージ13上に設置されたプラズマ処理室3と、プラズマ処理室3の外周辺にかつ試料1面よりプラズマ発生部2側に設置され、トーラス状に形成されたソレノイドコイル4とを備え、ソレノイドコイル4の発生する磁界を最適化することにより、多量の荷電粒子が試料1に入射することによるMOS構造デバイスのゲート酸化膜破壊の防止、あるいはプラズマ処理室3でのプラズマの高密度化を達成できる。
請求項（抜粋）：
プラズマを発生するためのプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に接続されかつ試料がステージ上に設置されたプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内の荷電粒子密度を制御する手段とを備えたドライエッチング装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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