特許

J-GLOBAL ID：200903050247652739

半導体素子基板及びその製造方法

発明者： 近藤 茂樹 ,  須川 成利
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033959
公開番号（公開出願番号）：特開平6-230429
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 単結晶Siを用いた半導体素子基板において、透光領域に形成された半導体素子の誤動作を防止する。【構成】 Si基板をくりぬいて透光領域を形成する際に、半導体素子及び配線部分に上記Si基板を残して遮光部を形成し、半導体素子への光の影響を防止する。【効果】 遮光部により半導体素子に影響する光の透過が防止され、且つ該遮光部の電位を制御して半導体素子の動作を制御すると同時に、該遮光部がSiO2層を補強し、半導体素子基板の強度及び性能を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性の透光層と、該透光層を部分的に支持する非透光性基板と、上記透光層上に形成された半導体層とを有し、上記非透光性基板が透光層を支持していない透明領域内に、遮光部を有することを特徴とする半導体素子基板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784