特許

J-GLOBAL ID：200903050254069267

高周波回路

発明者： 岩永 順子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 角田 嘉宏 ,  古川 安航 ,  西谷 俊男 ,  幅 慶司 ,  内山 泉 ,  是枝 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-219800
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041232
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】 半導体素子を基板に形成した後に、インピーダンス整合を簡易かつ適切に調整可能にした高周波回路を提供する。【解決手段】 高周波回路40は、チャネル領域18を含む半導体基板8と、前記チャネル領域18を挟んで互いに離間して前記半導体基板8の表面に形成されるソース領域10及びドレイン領域11と、前記チャネル領域18の直下の前記半導体基板8により構成されたボディ領域9と、前記ソース領域10に接続されたソース電極14と、前記ドレイン領域11に接続されたドレイン電極15と、前記ボディ領域9に接続されたボディ電極16と、前記チャネル領域18の上に配置されたゲート電極13と、を有する電界効果トランジスタ6と、前記ソース電極14、前記ドレイン電極15および前記ゲート電極13の各々に接続された整合回路2、3、4と、を備え、前記ボディ電極16にインピーダンス整合するバイアス電圧が印加される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

チャネル領域を含む半導体基板と、前記チャネル領域を挟んで互いに離間して前記半導体基板の表面に形成されるソース領域およびドレイン領域と、前記チャネル領域の直下における前記半導体基板により構成されたボディ領域と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記ドレイン領域に接続されたドレイン電極と、前記ボディ領域に接続されたボディ電極と、前記チャネル領域の上に配置されたゲート電極と、を有する電界効果トランジスタと、 前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極の各々に接続された整合回路と、を備え 前記ボディ電極にインピーダンス整合するためのバイアス電圧が印加される高周波回路。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/095

FI (5件)：

H01L27/04 G ,  H01L27/04 V ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/80 R ,  H01L29/80 E

Fターム (27件)：

5F038AV01 ,  5F038AV06 ,  5F038AV10 ,  5F038BB04 ,  5F038BB05 ,  5F038BB07 ,  5F038BG09 ,  5F038BH13 ,  5F038BH16 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB14 ,  5F048BE09 ,  5F048BF16 ,  5F102FA00 ,  5F102FA06 ,  5F102GA14 ,  5F102GA17 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 保護回路及びそれを用いた高周波回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-004687   出願人：松下電器産業株式会社