特許
J-GLOBAL ID：200903050261148296
固体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301654
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145115
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 発光強度むらのない均一且つ高出力の固体発光素子を提供する。【構成】 一導電型の化合物半導体基板上に形成されたその化合物半導体基板と同じ導電型の化合物半導体層と、その化合物半導体層と逆の導電型の発光領域となる第1の不純物拡散層と、その不純物拡散層と同じ導電型の第2の不純物拡散層と、その第2の不純物拡散層の所定領域に接続されるように形成された第1の取り出し電極と、化合物半導体基板の不純物拡散層の形成されていない他の面に形成された第2の取り出し電極とを備え、第2の不純物拡散層領域が第1の不純物拡散層上及びその周辺領域であり、第1の取り出し電極と第2の不純物拡散層とが第1の不純物拡散層領域外の周辺領域で接続されており、第2の拡散層の不純物濃度が第1の不純物濃度より高い構成の固体発光素子
請求項（抜粋）：
一導電型の化合物半導体基板上に形成されたその化合物半導体基板と同じ導電型の化合物半導体層と、その化合物半導体層と逆の導電型の発光領域となる第1の不純物拡散層と、その不純物拡散層と同じ導電型の第2の不純物拡散層と、その第2の不純物拡散層の所定領域に接続されるように形成された第1の取り出し電極と、化合物半導体基板の不純物拡散層の形成されていない他の面に形成された第2の取り出し電極とを備えたことを特徴とする固体発光素子。
引用特許：
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