特許

J-GLOBAL ID：200903050263620863

検査方法およびその装置

発明者： 梅村 馨 ,  川浪 義実 ,  間所 祐一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-131689
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342638
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 シリコンウエハまたはシリコンデバイスを試料とし、試料または試料の製造ラインに対してコンタミネイションを与えないイオン源または集束イオンビーム照射系で形成した集束イオンビームを試料に照射し、試料上に新たな構造を形成するか、集束イオンビーム照射によって得られる信号を得て、試料または製造工程の来歴を検査する方法およびその装置を提供する。【構成】 ゲルマニウムやシリコン単体、もしくはそれらの合金をイオン材料とした液体金属イオン源11、不活性ガス種、特に、ネオン、クリプトン、アルゴン、ゼノン、窒素をイオン材料とした電界電離ガスイオン源またはEHDイオン源の何れかのイオン源と、集束イオンビーム形成照射手段と、試料であるシリコンウエハまたはシリコンデバイスを保持する試料台19と、集束イオンビームの試料への照射によって試料の製造来歴の検査する検査手段から構成される。

請求項（抜粋）：

集束イオンビームを試料に照射して、該試料上に新たな構造を形成することによるか、もしくは上記集束イオンビーム照射による上記試料からの信号を得ることによって上記試料自身またはその製造来歴を検査する方法であって、上記集束イオンビームは上記試料または試料の製造ラインに対するコンタミネイションを発生しないイオン源および集束イオンビーム照射系によって形成されることを特徴とする検査方法。

IPC (7件)：

H01J 37/08 ,  H01J 37/22 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/30 ,  H01J 37/31 ,  H01J 49/26