特許
J-GLOBAL ID：200903050266492181
フォトマスク及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243146
公開番号（公開出願番号）：特開平8-106152
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 フォトマスクのクロムパターンの端部に生ずる庇状部分を極力小さくし、高精度のフォトマスクを作製する技術を提供する。【構成】 透明基板の表面の上に形成されたクロム膜を有するマスクブランクを準備する工程と、クロム膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、クロム膜をエッチングする第1エッチング工程と、レジストパターンを除去し、クロム膜の上面を露出する工程と、クロム膜を再度エッチングする第2エッチング工程と、クロム膜の露出した表面を酸化し、酸化クロム膜を形成する酸化工程とを含む。
請求項（抜粋）：
透明基板の表面の上に形成されたクロム膜を有するマスクブランクを準備する工程と、前記クロム膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記クロム膜をエッチングする第1エッチング工程と、前記レジストパターンを除去し、前記クロム膜の上面を露出する工程と、前記クロム膜を再度エッチングする第2エッチング工程と、前記クロム膜の露出した表面を酸化し、酸化クロム膜を形成する酸化工程とを含むフォトマスク作製方法。
IPC (2件)：
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