レーザ蒸着法による薄膜の成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：越場隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-260846
公開番号（公開出願番号）：特開平8-134631
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【課題】表面が平滑な高品質の酸化物超電導薄膜をレーザ蒸着法で成膜する。【解決手段】内部の圧力および雰囲気が調整可能な気密チャンバ内でターゲットにレーザ光を照射して、ターゲットの被照射面に垂直に配置した基板成膜面上に酸化物超電導薄膜を成長させる。気密チャンバ内の圧力は、Y1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜の場合0.8 〜 1.5Torr、特に1〜1.5Torr、SrTiO3薄膜の場合、0.15〜0.3Torr、CeO2 薄膜の場合、0.03〜0.07Torrとする。

請求項（抜粋）：

内部の圧力および雰囲気が調整可能な気密チャンバ内でターゲットにレーザ光を照射して、ターゲットの被照射面に垂直に配置した基板の成膜面上にY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜を成長させる方法であって、気密チャンバ内の圧力を0.8 〜 1.5Torrとして成膜を行うことを特徴とする薄膜の成膜方法。

IPC (7件)：

C23C 14/08 ZAA , C01G 1/00 ZAA , C01G 3/00 ZAA , C23C 14/28 ZAA , H01L 39/02 ZAA , H01L 39/24 ZAA , C30B 29/22 501

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-193606
特開平2-017685
特公平4-053818

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審査官引用 (5件)

特開平3-193606
特開平2-017685
特公平4-053818

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