特許

J-GLOBAL ID：200903050274521956

半導体装置およびその製造方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154658
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004087
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率であり、且つ、埋め込み特性にも優れた絶縁膜を有する半導体装置を提供し、その好適な製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上にSiO2 膜2、Al系材料よりなる配線パターン3がこの順に形成され、この配線パターン3が層間絶縁膜4に被覆されてなる。そして、層間絶縁膜4は、樹脂中に、低誘電率の無機物よりなる微粒子が添加されてなる。微粒子としては、SiOF、SiOBN、SiBN、BNより選ばれる少なくともいずれかよりなるものであって好適であり、このような微粒子を添加することにより、樹脂の熱膨張係数を低減させ、ガラス転移温度を上昇させることができる。

請求項（抜粋）：

基体上に、少なくとも絶縁膜が設けられてなる半導体装置において、前記絶縁膜が、樹脂中に、低誘電率の無機物よりなる微粒子が添加されてなるものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/312 B ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 V ,  H01L 21/95