特許
J-GLOBAL ID：200903050275775188
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229556
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067658
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 成膜後の位置合わせマークのエッジ形状がシャープさを保つよう、特にリソグラフィ工程でこの合わせマークを有する半導体装置を形成すると共に、より正確な位置測定を行える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置に設けられる位置合わせマーク部10を、互いに平行で相対的に太い凹溝3と細い凹溝2とを有するように成形し、この上を所定の金属による堆積厚によって成膜した後、金属配線形成用のリソグラフィ工程において、当該太い凹溝3の内側の段差( エッジ) の検出を行いながら位置測定を行う当該マーク部10を利用した製造に基づく半導体装置の製造を行う。
請求項（抜粋）：
金属配線形成用のリソグラフィ工程における半導体装置は、実質的に互いに平行し相対的に太い凹溝と細い凹溝とを有する位置合わせマークを具備し、前記位置合わせマークの上には所定の金属による所定の金属堆積膜厚で成膜された層を更に具備することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/30 522 B
, H01L 21/30 506 C
