特許

J-GLOBAL ID：200903050276684526

半導体発光装置

発明者： 堂免 恵 ,  穴山 親志 ,  近藤 真人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-314702
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164054
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体発光装置に関し、極めて簡単で且つ容易に実施できる手段で、クラッド層から活性層にp型不純物が拡散されないようにして、半導体レーザの特性が劣化するのを防止する。【構成】 Zn或いはMgであるp型不純物を含有したp型AlGaInPクラッド層16並びにノンドープであるGaInP活性層14の間に前記Zn或いはMgであるp型不純物及びSeを共にドーピングしたAlGaInP不純物拡散抑止層15を介在させてある。

請求項（抜粋）：

Zn或いはMgであるp型不純物を含有したクラッド層及びノンドープである活性層の間に前記Zn或いはMgであるp型不純物及びSeを共にドーピングした不純物拡散抑止層を介在させてなることを特徴とする半導体発光装置。