特許
J-GLOBAL ID:200903050280627987

方位センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-288316
公開番号(公開出願番号):特開平5-126577
出願日: 1991年11月05日
公開日(公表日): 1993年05月21日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、磁気抵抗素子に適当なバイアス磁界を付与し、地磁気を検出して方位を知る方位センサに関し、小型で簡単な構成で正確に地磁気を検出する方位センサを提供することを目的とする。【構成】 4つの磁気抵抗エレメントのパターン方向が互いに直交するようにして直列に接続し、かつ絶縁基板の辺にたいして45°傾けた磁気抵抗素子1を、所定のホルダー内に設置し、互いに直交する方向から所定量のバイアス磁界を所定時間付与するための2個のバイアスコイル2をホルダーに形成したセンサとし、しかも前記バイアス磁界を前記磁気抵抗エレメントに対して45°方向に加えるような構成にしている。
請求項(抜粋):
4つの直交する辺を有する絶縁基板上にパターンの長手方向に通電すると電気抵抗がパターンに直交する磁界の強さに応じて変化する4個の磁気抵抗エレメントをパターンの長手方向が互いに直交しかつ前記絶縁基板の各辺に対して45°の方向を向くように配置し互いに直列に接続するとともに所定の入力端子と出力端子を設けて構成した磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗エレメントを形成した面がその中心部にくるように上記磁気抵抗素子を設置する台座を有するホルダーと、このホルダーにそれぞれ所定の巻数で形成した2つのバイアスコイルとを備え、かつ前記ホルダーに上記磁気抵抗エレメントに対して45°方向にバイアス磁界を付与するための第1のバイアスコイルを前記磁気抵抗エレメントから所定の距離で巻くための第1の溝と前記第1のバイアスコイルに対して直交する第2のバイアスコイルを前記第1のバイアスコイルに触れないような所定の位置に形成するための第2の溝とを有する方位センサ。

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