特許
J-GLOBAL ID：200903050284477645
半導体レーザ装置、その製造方法及び半導体レーザ用ウエハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225776
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086687
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 へき開端面の形成時に発生するへき開ずれによる段差で、半導体レーザの特性が悪くなるのを防止できる半導体レーザ用ウエハを得る。【構成】 裏面からへき開用の刃を押し合ててへき開する場合に対応したウエハとして、活性層を含むAlGaAs層9より下に、GaAs層16のGaAsよりもへき開段差の入りやすい材料の層としてAlGaAs層15を設ける。そして、エッチングによって形成される素子分離溝2の深さは、AlGaAs層15よりも深くする。【効果】 素子分離溝2の隅から発生するへき開段差は、活性層を含む層9より下のAlGaAs層15に集中するため、リッジ11あるいは発光部12にかかるようなへき開段差の発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に積層された複数の半導体層を有し、これを第1の方向に走るへき開ラインと第2の方向に走る素子分離溝とに沿って切り離すことにより複数の半導体レーザ装置に分離される半導体レーザ用ウエハにおいて、前記複数の半導体層は、前記へき開ラインに沿ったへき開端面において発光部を規定する活性層を含む層と、前記活性層を含む層と前記半導体基板との間に、前記活性層を含む層の側に他の前記半導体層を挟んで設けられ、該他の半導体層の材質よりもへき開ずれによって発生する段差の入りやすい材質の層とを備え、前記素子分離溝は前記半導体基板の表面側から少なくとも前記段差の入りやすい材質の層に到達する深さを有する、半導体レーザ用ウエハ。
IPC (2件)：
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