基板表面処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088027
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265869
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】本発明が解決しようとする課題は基板の装置内への出し入れ時に基板の表面に洗浄液滴の滴下が全くない基板表面処理装置を開発するにある。【解決手段】基板(11)の表面処理を行うために周囲環境から隔離された清浄な基板表面処理空間(S)を構成するケーシング(K)を有する基板表面処理装置において、前記ケーシング(K)が、上部(K1)と下部(K2)とに別れており、上部(K1)より下部(K2)が拡径していて上部(K1)の内周面(1A)が下部(K2)の内周面(6A)より内側に位置しており且つ上部(K1)の下端内周には内周側に突出する突出部(4)が設けられており、下部(K2)内に昇降式であって、基板(11)の表面処理時に上昇して、前記突出部(4)の下面(4c)を含む上部(K1)の下面(Kb)に当接し、基板(11)の移動時には下降して上部(K)の下面(Kb)から離間するインナリング(2)が配設されている事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板の表面処理を行うために周囲環境から隔離された清浄な基板表面処理空間を構成するケーシングを有する基板表面処理装置において、前記ケーシングが、上部と下部とに別れており、上部より下部が拡径していて上部の内周面が下部の内周面より内側に位置しており且つ上部の下端内周には内周側に突出する突出部が設けられており、下部内に昇降式であって、基板の表面処理時に上昇して、前記突出部の下面を含む上部の下面に当接し、基板の移動時には下降して上部の下面から離間するインナリングが配設されている事を特徴とする基板表面処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 643 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/304 643 A , H01L 21/306 J

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