特許

J-GLOBAL ID：200903050289168390

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 上田 吉裕 ,  猪口 和彦 ,  湯浅 貴之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070027
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289352
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 素子抵抗および駆動電圧を低減した高い信頼性を有する半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 GaAlInN層を含むダブルヘテロ構造の半導体レーザ装置において、0.1μm以上1.0μm以下の膜厚のInNコンタクト層を具備する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、GaxAlyIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)層を含む半導体多層膜を形成して構成される半導体レーザ装置において、電極が形成されるべき層としてInNコンタクト層を具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/46 Z