半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030873
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233440
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】歪シリコン層を得るための下地である結晶層の厚さを薄くすること。【解決手段】結晶基板21上に絶縁性結晶薄膜22を形成し、この絶縁性結晶薄膜上に絶縁性結晶薄膜層と格子定数が異り格子緩和しない厚さの歪半導体結晶24を作成する。この歪半導体結晶をチャネル部27とした半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

結晶基板と、この結晶基板上に形成された絶縁性結晶薄膜と、この絶縁性結晶薄膜上に形成された、前記絶縁性結晶薄膜層と格子定数が異り格子緩和しない厚さの半導体結晶とを具備することを特徴とする半導体装置。

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