放電型サージアブソーバ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324212
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183076
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】放電電極の異なる部分にゲッタ材と電子放出材を別々に設けても小型化できる。放電特性が安定しかつ放電開始電圧及びインパルス応答電圧が低下する。【構成】放電型サージアブソーバ10は、柱状のセラミック素体11の両端に一対のキャップ電極12a,13aを有するサージ吸収素子15と、この素子15を不活性ガスとともに封止する絶縁管14とを備える。サージ吸収素子がセラミック素体の表面に形成されたゲッタ材からなる第1薄層11aと、この薄層の上に形成された電子放出材からなる第2薄層11bと、第2薄層を部分的に除去して素体11の表面に第1薄層が露出して形成されたゲッタ部11dと、素体11の周面に第1及び第2薄層を除去して形成されたマイクロギャップとを有し、かつ一対のキャップ電極が素体11の両端に第2薄層を介して設けられる。

請求項（抜粋）：

柱状のセラミック素体(11)の両端に一対のキャップ電極(12a,13a)を有するサージ吸収素子(15)と、前記サージ吸収素子(15)を不活性ガスとともに封止する絶縁管(14)とを備えた放電型サージアブソーバ(10,10')において、前記サージ吸収素子(15)は、前記セラミック素体(11)の表面に形成されたゲッタ材からなる第1薄層(11a)と、前記第1薄層(11a)の上に形成された電子放出材からなる第2薄層(11b)と、前記第2薄層(11b)を部分的に除去してセラミック素体(11)の表面に第1薄層(11a)が露出して形成されたゲッタ部(11d)と、前記セラミック素体(11)の周面に前記第1及び第2薄層(11a,11b)を除去して形成されたマイクロギャップ(11c)とを有し、前記一対のキャップ電極(12a,13a)は前記セラミック素体(11)の両端に前記第2薄層(11b)を介して設けられたことを特徴とする放電型サージアブソーバ。

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