特許

J-GLOBAL ID：200903050297799145

窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法

発明者： 杉本 康宜
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-356049
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158343
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 高出力時においてもキンクの発生しない、寿命特性の良好な窒化物半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 リッジを有し、そのリッジ両側に埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードにおいて、埋め込み層を炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体からなるダイヤモンドライクカーボンとした。

請求項（抜粋）：

リッジを有し、そのリッジ両側に埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードにおいて、前記埋め込み層は炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体からなるダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする窒化物半導体レーザダイオード。

IPC (2件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610

FI (2件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610

Fターム (23件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073BA05 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB11 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA16 ,  5F073EA29