特許

J-GLOBAL ID：200903050305760555

水切り剤及び水切り方法

発明者： 名越 英二 ,  北澤 宏造
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236184
公開番号（公開出願番号）：特開平9-057005
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】【解決手段】特定構造を有するカルボン酸、カルボン酸エステル、アミン、又はこれら化合物の誘導体を必須成分として含有する水切り剤、及び洗浄後、水にてすすぎ、次いで水を切る方法において、当該水切り剤がすすぎ水中0.01〜10重量%になるように、当該水切り剤をすすぎ水に添加する水切り方法。【効果】本発明によると、電子部品等をアルコール系洗浄剤、炭化水素系洗浄剤、又は水系洗浄剤で洗浄し、水ですすぐ時や最終のすすぎにおいて、部品表面に付着した水の切れる時間を早くして、乾燥時間や乾燥機のエネルギーコストを低減することができる。また、水じみの発生を抑え、金属部品では防錆効果にも優れ、更に乾燥することにより水切り剤の成分が揮発し部品表面には残留しにくい。

請求項（抜粋）：

必須成分として一般式(1)R1 XR2 (1)(式中、R1 は炭素数1〜18の炭化水素基を示し、Xは-COO-又は一般式(2)【化1】〔式中、R3 は水素原子又は炭素数1〜4の炭化水素基を示す。〕で表される基であり、R2 は水素原子又は炭素数1〜18の炭化水素基を示す。)又は一般式(3)R4 Y(A1 O)nR5 (3)(式中、R4 は炭素数1〜18の炭化水素基を示し、nは1〜4の数を示し、Yは-COO-、-NH-、又は一般式(4)【化2】〔式中、mは1〜4の数を示し、A2 は炭素数2〜4のアルキレン基を示す。〕で表される基であり、A1 は炭素数2〜4のアルキレン基を示し、R5 は水素原子又は炭素数1〜8の炭化水素基を示す。)で表される化合物を1種以上含有することを特徴とする水切り剤。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭58-071994