半導体装置用インダクタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-267823
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087618
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】従来、高周波集積回路に設けられるスパイラル型等のインダクタは、巻数を大きくしようとすると、面積効率やQ特性が低下するという問題があった。この問題を解消した半導体装置用インダクタを提供する。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜上に設けられ、薄膜状の配線で構成される半導体装置用インダクタにおいて、前記絶縁膜を櫛歯状に交互に平行する複数個の凸状部および凹状部を有するように、且つ該凸状部と該凹状部との段差を少なくとも前記配線の厚さより大きくなるように、且つ段差部を順テーパー状に構成し、前記凸状部および凹状部に沿った配線及び前記段差部での折り返し配線によりメアンダ型のコイルを構成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜上に設けられ、薄膜状の配線で構成される半導体装置用インダクタにおいて、前記絶縁膜を櫛歯状に交互に平行する複数個の凸状部および凹状部を有するように段差をつけた形状に形成し、前記凸状部及び凹状部に沿って形成した配線部分及び前記段差部分に形成した折り返し配線部分によりメアンダ型のコイルを構成したことを特徴とする半導体装置用インダクタ。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

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