特許
J-GLOBAL ID：200903050308629735
化合物半導体の製造装置および製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
多田 公子
, 宮川 佳三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-115466
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302940
出願日： 2004年04月09日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】結晶性に優れたII-VI族化合物半導体を製造するための半導体製造装置、および、製造方法を提供する。【解決手段】原料ガスを基板10に向かって所定の角度で供給する供給口12と、基板10で反射された原料ガスが入射する位置に配置された排気口14とを有するMOCVD装置を提供する。これにより、2以上の原料ガスをそれぞれ基板10に所定角度で入射させて、基板10上で反応させる。基板10上で反射された原料ガスを、直接的に排気口14に取り込んで排気するか、もしくは、基板10上で反射された原料ガスの進行方向を制御し、排気口14まで導いて排気する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空容器と、該真空容器内に基板を配置するための基板搭載部と、前記基板に対して2以上の原料ガスを噴出するためのガス供給部と、前記真空容器内のガスの排出のために前記真空容器に設けられた排気口とを有し、
前記ガス供給部は、前記原料ガスが予め定めた角度で前記基板面に入射する位置に配置され、
前記排気口は、前記基板面で反射された前記原料ガスが到達する位置に配置されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (27件)：
4K030AA09
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA21
, 4K030BA42
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030JA09
, 4K030LA13
, 5F045AA05
, 5F045AB22
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC11
, 5F045AC19
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045AE23
, 5F045BB12
, 5F045EE20
