特許
J-GLOBAL ID:200903050311439157
半導体装置とその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-049353
公開番号(公開出願番号):特開平8-250498
出願日: 1995年03月09日
公開日(公表日): 1996年09月27日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子と回路基板との線膨張係数の差に起因する不都合を解消して十分な信頼性を確保するとともに、フリップチップ化による高密度化の効果を十分発揮でき、しかもコストアップを抑制することができる半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 複数のパッド12を有する半導体素子11のパッド形成面に、パッド12のうちの一つに導通する配線部14が複数形成され、配線部14の所定位置上にバンプ18が形成されてなる半導体装置10。およびその製造方法。
請求項(抜粋):
複数のパッドを有する半導体素子のパッド形成面に、前記パッドのうちの一つに導通する配線部が複数形成され、該配線部の所定位置上にバンプが形成されてなる、ことを特徴とする半導体装置。
FI (4件):
H01L 21/92 602 Z
, H01L 21/92 602 N
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 604 B
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-019855
出願人:株式会社東芝
-
特開平3-159152
-
特開昭64-061934
前のページに戻る