特許

J-GLOBAL ID：200903050316990447

化合物半導体デバイスの作製方法

発明者： ウォン-ティエン ツァン
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064266
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094494
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 従来技術での化合物半導体デバイス製造の種々の欠点を改良した方法を提供する。【構成】 本発明の化合物半導体(たとえばInP 、GaAs)デバイスの作製方法は、基体をエッチング媒体(たとえばPCl3、AsCl3)及びプリカーサ化学種(たとえば、トリメチルインジウム、トリエチルガリウム)を含む化学ビーム又は複数のビームに露出することにより、半導体基体をエッチングし、続いて半導体基体を大気に露出することなく、エッチングされた表面上に半導体材料を、化学ビームエピタキシー(CBE)成長させることを含む。エッチングビーム中にプリカーサ化学種が存在することにより、表面モフォロジーが著しく改善され、高品質の再成長が可能になる。本発明に従う反応容器中で可能であるエッチング及び成長モード間のほとんど瞬時(たとえば約1秒)のスイッチングにより、多くのエッチング/成長工程が容易になる。

請求項（抜粋）：

a)III/V半導体材料を含む半導体基体の準備;b)エッチングされた表面が生じるように、気体エッチング媒体と前記III/V半導体材料の少くとも一部を接触させることを含むプロセスにより、前記III/V半導体材料の少くともある程度を除去すること;及びc)半導体デバイスの完成に向けて、1ないし複数の工程を更に行うことを含む半導体デバイスの作製方法において、d)工程b)を10-2 Torr より低いバックグランド圧を有する反応室中で行い、反応室は前記III/V半導体材料を前記気体エッチング媒体とIII/V半導体プリカーサ化学種のビーム又は複数のビームに、同時に露出させるのに適した手段を有することを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 29/205