特許
J-GLOBAL ID:200903050323928846
プローブ用導電性微粒子、その製造方法及び導電検査用プローブ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
九十九 高秋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-129186
公開番号(公開出願番号):特開平11-329059
出願日: 1998年05月12日
公開日(公表日): 1999年11月30日
要約:
【要約】【課題】 厚膜の貴金属被覆層を有する耐久性に優れたプローブ用導電性微粒子を提供する。【解決手段】 平均粒子径が10〜1000μmの球状高分子粒子の表面に貴金属被覆層が形成されてなるプローブ用導電性微粒子であって、前記貴金属被覆層の厚みが、前記球状高分子粒子の半径の0.01〜0.4倍であるプローブ用導電性微粒子。
請求項(抜粋):
平均粒子径が10〜1000μmの球状高分子粒子の表面に貴金属被覆層が形成されてなるプローブ用導電性微粒子であって、前記貴金属被覆層の厚みが、前記球状高分子粒子の半径の0.01〜0.4倍であることを特徴とするプローブ用導電性微粒子。
IPC (3件):
H01B 1/00
, C25D 7/00
, G01B 21/30
FI (3件):
H01B 1/00 C
, C25D 7/00 R
, G01B 21/30 Z
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