特許

J-GLOBAL ID：200903050326867163

微結晶シリコン膜の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  荒井 康行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219911
出願日： 1995年12月09日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法により、高い成膜速度でもって良質な微結晶シリコン膜を成膜する技術を提供する。【解決手段】 容量結合型のプラズマCVD装置において、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入できるソースガスと珪化物気体と水素ガスとを用いて、微結晶珪素膜を基板上に成膜する。この際、珪素の結晶化を助長する金属元素の作用により、高い成膜速度を得ることができる。

請求項（抜粋）：

反応室にシリコンを含む反応ガスとシリコンの結晶化を助長する金属元素が含まれた気体を導入して、プラズマCVD法によって微結晶シリコン膜を形成する工程を有することを特徴とする微結晶シリコン膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 B