特許
J-GLOBAL ID:200903050326928499

電界放出型電子源および表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-273724
公開番号(公開出願番号):特開2002-093310
出願日: 2000年09月08日
公開日(公表日): 2002年03月29日
要約:
【要約】【課題】 材料選択の幅が大きく、簡易な構造で大面積化および低コスト化が容易な電界放出型電子源を提供する。【解決手段】 本発明の電界放出型電子源は、導電性基板とその上に形成された微粒子層と、さらにその上に形成された金属薄膜とを備えており、微粒子が、SiO2、A12O3、TiO2、ZrO2から成るシェル層の中空内部に電子放出物質が包含された構造を有する。微粒子に包含される電子放出物質としては、ITO、黒鉛などの導電性物質、または半導体物質が挙げられる。
請求項(抜粋):
導電性基板と、前記導電性基板上に形成された微粒子層と、前記微粒子層上に形成された金属薄膜とを備え、前記導電性基板と前記金属薄膜との間に電圧を印加することにより、前記金属薄膜を通して電子を放出させる電界放出型電子源であり、前記微粒子が、絶縁性の外殻とその中空内部に包含・封入された電子放出物質とを有することを特徴とする電界放出型電子源。
IPC (3件):
H01J 1/312 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12
FI (3件):
H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 M
Fターム (7件):
5C031DD17 ,  5C036EE03 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12

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