特許

J-GLOBAL ID：200903050334883801

半導体汚染物質の捕集装置

発明者： 村上 裕昭
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328078
公開番号（公開出願番号）：特開平11-160299
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】半導体汚染物質をガスクロマトグラフ分析する場合のサンプル捕集方法に関する。クリーンルーム空気中に含まれる半導体汚染物質を捕集する装置において、半導体産業で問題となる汚染物のみを効率的に捕集して、高い感度の汚染物質分析を可能とすること。【解決手段】石英管2に、100〜500μmに粉砕したシリコン粉末3を充填する。ポンプ4を駆動させると空気吸入口1より空気が吸入される。この時、エステル系化合物やシロキサン系化合物などがシリコン粉末に吸着され、半導体産業では問題とはならない化合物は吸着されずに空気とともに排出される。その後、石英管をヒーターで加熱することにより汚染物質をコールドトラップ13に導く。これを液体窒素で冷却し、次に高周波により急激に加熱することにより、汚染物質をガスクロマトグラフ部の分離カラムへと導く。

請求項（抜粋）：

空気中の半導体汚染物質を捕集する方法において、吸着物質としてシリコン粉末を充填したサンプリング管に空気を通過させて捕集する事を特徴とする半導体汚染物質の捕集装置。