特許
J-GLOBAL ID：200903050334983970
研磨助剤
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124498
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313815
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】各種砥粒を用いて半導体基板又は半導体素子を高速で研磨する場合であっても、良好な研磨加工精度及び表面状態を与えることができる研磨助剤及びそれを含有する研磨液組成物を提供すること。【解決手段】水溶性高分子を含有してなる半導体基板用又は半導体素子用研磨助剤であって、一次粒径が10〜100nmである砥粒の10重量%水スラリー100重量部に対し、該水溶性高分子を0.05重量部添加した時の、25°Cにおける該水溶性高分子の砥粒への吸着率が50重量%以上である半導体基板用又は半導体素子用研磨助剤、並びに、砥粒と研磨助剤と水を含む研磨液組成物であって、当該研磨助剤の一種が本発明の半導体基板用又は半導体素子用研磨助剤である半導体基板用又は半導体素子用研磨液組成物。
請求項（抜粋）：
水溶性高分子を含有してなる半導体基板用又は半導体素子用研磨助剤であって、一次粒径が10〜100nmである砥粒の10重量%水スラリー100重量部に対し、該水溶性高分子を0.05重量部添加した時の、25°Cにおける該水溶性高分子の砥粒への吸着率が50重量%以上である半導体基板用又は半導体素子用研磨助剤。
IPC (7件)：
C08L101/14
, B24B 57/02
, C08K 3/00
, C08L 33/02
, C08L 71/02
, C09K 3/14 550
, H01L 21/304 622
C08L101/14
, B24B 57/02
, C08K 3/00
, C08L 33/02
, C08L 71/02
, C09K 3/14 550 Z
, H01L 21/304 622 D
3C047GG00
, 4J002BG011
, 4J002BG071
, 4J002BH021
, 4J002CH021
, 4J002DE096
, 4J002DE116
, 4J002DE136
, 4J002DE146
, 4J002DJ006
, 4J002DJ016
, 4J002FD016
, 4J002GT00
, 4J002HA06
