特許

J-GLOBAL ID：200903050336142531

半導体結晶の炭素濃度測定方法

発明者： 廣岡 千裕 ,  中園 隆一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218098
公開番号（公開出願番号）：特開2001-041885
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 ノイズ成分の影響を低減し、炭素の吸収を顕在化させることのできる半導体結晶の炭素濃度の測定方法を提供する。【解決手段】 フーリエ変換型赤外分光光度計を使用して半導体結晶中の炭素濃度の測定を行うに際して、1000cm-1以上の波数の光を遮断するフィルターを受光器の前に設置して濃度測定を行う。

請求項（抜粋）：

フーリエ変換型赤外分光光度計を使用して半導体結晶中の炭素濃度を測定する半導体結晶の炭素濃度測定方法において、受光器の前に、1000cm-1以上の波数の光を遮断するフィルターを設けた状態で前記炭素濃度の測定を行うことを特徴とする半導体結晶の炭素濃度測定方法。

IPC (3件)：

G01N 21/35 ,  G01J 3/45 ,  G01N 27/414

FI (3件)：

G01N 21/35 Z ,  G01J 3/45 ,  G01N 27/30 301 V

Fターム (18件)：

2G020AA03 ,  2G020BA02 ,  2G020CA02 ,  2G020CA12 ,  2G020CB42 ,  2G020CC22 ,  2G020CC26 ,  2G020CD16 ,  2G020CD22 ,  2G020CD35 ,  2G020CD38 ,  2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC02 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ02 ,  2G059KK10