特許
J-GLOBAL ID：200903050338184886
薄膜半導体装置とその製造方法及びシリコン膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293328
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129202
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 良好なトランジスタ特性を有する薄膜半導体装置の製造方法を提供する事。【構成】 シリコン膜堆積後熱処理を施す。【効果】 低温工程で良好なTFTを製造出来る。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が絶縁性物質で有る基板の一方面上にチャンネル部シリコン膜半導体層を形成し、該半導体層上にゲート絶縁層、ゲート電極を形成したMIS型電界効果トランジスタを構成する薄膜半導体装置に於いて、絶縁性物質上にチャンネル部シリコン膜半導体層を構成するシリコン膜を堆積する工程と、前記シリコン膜が形成された基板を600°C以下の温度で熱処理する工程と、チャンネル部シリコン膜半導体層上に形成されるゲート絶縁層を電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD法に依り形成する工程を含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/20
, C23C 14/35
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/324
, H01L 21/336
, H01L 29/784
, H05H 1/18
H01L 29/78 311 Y
, H01L 29/78 311 G
