光起電力素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177439
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027630
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】新しいドーピング層の構造及び形成方法を導入することによって、実用に適した低コストで、信頼性が高く、かつ、光電変換効率の高い光起電力素子及びその製造方法を提供する。【構成】本発明の光起電力素子の製造方法は、p型半導体層及びn型半導体層からなる2つのドーピング層が、i型半導体層を介して積層されたpin型の半導体接合をなす構造体を有し、かつ、少なくとも前記i型半導体層の上に位置する前記ドーピング層Dの結晶形態が非結晶質である光起電力素子の製造方法において、前記i型半導体層と前記ドーピング層Dの間のバッファー層Bを設け、前記バッファー層Bのバンドギャップを拡大する元素をγとしたとき、前記i型半導体層に引き続いて前記バッファー層Bを形成した後、前記ドーピング層Dを形成する前に、前記バッファー層Bの表面を、前記γを含むプラズマに曝すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

p型半導体層及びn型半導体層からなる2つのドーピング層が、i型半導体層を介して積層されたpin型の半導体接合をなす構造体を有し、かつ、少なくとも前記i型半導体層の上に位置する前記ドーピング層Dの結晶形態が非単結晶である光起電力素子の製造方法において、前記i型半導体層と前記ドーピング層Dの間のバッファー層Bを設け、前記バッファー層Bのバンドギャップを拡大する元素をγとしたとき、前記i型半導体層に引き続いて前記バッファー層Bを形成した後、前記ドーピング層Dを形成する前に、前記バッファー層Bの表面を前記γを含むプラズマに曝すことを特徴とする光起電力素子の製造方法。

FI (3件)：

H01L 31/04 N , H01L 31/04 Y , H01L 31/04 W

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