半導体膜の形成方法および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361947
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176798
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に形成した非単結晶半導体薄膜にエネルギーを加えて結晶化する際に、不規則な核発生や結晶欠陥の伝播を抑制し、かつ、結晶成長し易い方位を有する結晶粒を制御して成長させ、結晶欠陥が少なく、大略結晶方位の揃った大面積の結晶性半導体膜を得る。【解決手段】基板1に、少なくとも一方側が滑らかなエッジ形状のくびれ部2を有し、かつ、側面と底面が滑らかに連続する断面形状の掘り込み部3を形成して非晶質Si膜4を埋め込み、くびれ部2の滑らかなエッジ形状側とは反対側から滑らかなエッジ形状側を通って結晶成長させる。くびれ部2で結晶方位を選択すると共に、くびれ部2を出た後、結晶粒を大きく成長させたい領域で生じる不規則な結晶核を、掘り込み部3のエッジ形状と断面形状を滑らかにして抑制する。掘り込み部3に段差を設けて、結晶欠陥が伝播するのを抑制することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した非単結晶絶縁膜上、または非単結晶絶縁基板上に半導体膜を形成する方法であって、該非単結晶絶縁膜または該非単結晶絶縁基板に、少なくとも一方側に滑らかなエッジ形状を持つくびれ部を有し、かつ、側面と底面とが滑らかに連続する断面形状の掘り込み部を形成する工程と、該非単結晶絶縁膜上または該非単結晶絶縁基板上に非単結晶半導体膜を形成して、該掘り込み部を埋め込む工程と、該非単結晶半導体膜にエネルギーを加えることにより、該くびれ部の一方側とは反対側から該くびれ部および滑らかなエッジ形状部分を通過して結晶成長を進ませる工程とを含む半導体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , C23C 16/24

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , C23C 16/24

Fターム (31件)：

4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB05 , 4K030BB11 , 4K030CA06 , 5F045AA03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DA61 , 5F045DA67 , 5F045EK27 , 5F045EK30 , 5F045HA16 , 5F052AA14 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DA05 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052EA02 , 5F052FA03 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052FA24 , 5F052GB03 , 5F052GB07 , 5F052JA01

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