特許

J-GLOBAL ID：200903050340766132

半導体装置の製造方法

発明者： 中井 建弥 ,  大塚 信幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123419
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326418
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、結晶品質が良好な成長を維持しつつ、その結晶中に精密に濃度制御した不純物をデルタドーピングすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】600°Cにおいて高抵抗Si基板32上に厚さ100mnのノンドープのSi層34を成長する。次いで、基板温度を200°Cに冷却した後、AlH3N(CH3 )3 の蒸気を約10秒間供給して、Si層34上に1原子層のAl層36を析出する。次いで、600°Cに昇温して、Al層36上にノンドープのSi層38を成長する。こうして高抵抗Si基板32上にSi層34、38をエピタキシャル成長する際に、AlH3 N(CH3 )3 を不純物源として用いることにより、Si層34、38間にAl層36をデルタドーピングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、シリコン又はゲルマニウムからなる半導体層をエピタキシャル成長させる工程を有する半導体装置の製造方法において、III族元素の有機化合物又は水素化物であって、分解生成物として炭素水素基を含まないガスを、前記半導体層の実質的な成長温度以下の温度で、前記半導体基板又は前記半導体層の表面に接触させる工程を含み、前記半導体基板と前記半導体層との界面又は前記半導体層間に、 III族元素層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46