特許

J-GLOBAL ID：200903050348826495

電解めっき方法

発明者： 鈴木 優美 ,  大和田 伸郎 ,  芦原 雅幸 ,  中川 敏行
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331153
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129287
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハの被めっき表面に形成されている凹部の埋込み不良を十分に防止するとともに凹部の埋込み後において均一な膜厚を有する銅めっき膜を形成することのできる電解めっき方法の提供。【解決手段】Cu2+イオンと、水と、Cu2+イオンの電気化学的な還元反応を促進する促進剤とを含むめっき液14に半導体ウェハWの被めっき表面を浸漬する第1ステップと、第1ステップの後、半導体ウェハをカソードとし、銅板16をアノードとし、両極間に所定の電圧を印加することにより、半導体ウェハの被めっき表面に形成された凹部80内に優先的に銅を電析させる第2ステップとを含む方法であり、第1ステップでは、半導体ウェハWの被めっき表面をめっき液14中において好ましくは回転させ、第2ステップでは、半導体ウェハWの被めっき表面をめっき液14中において静止させた状態とする。

請求項（抜粋）：

Cu2+イオンと、水と、Cu2+イオンの電気化学的な還元反応を促進する促進剤とを含むめっき液に半導体ウェハの被めっき表面を浸漬する第1ステップと、前記第1ステップの後、前記半導体ウェハの前記被めっき表面を前記めっき液中において静止させた状態で、前記半導体ウェハをカソードとし、銅板をアノードとし、前記カソードと前記アノードとの間に所定の電圧を印加することにより、前記半導体ウェハの前記被めっき表面に形成された凹部内に優先的に銅を電析させる第2ステップと、を含むことを特徴とする電解めっき方法。

IPC (5件)：

C25D 7/12 ,  C25D 3/38 ,  C25D 21/10 301 ,  C25D 21/12 ,  H01L 21/288

FI (5件)：

C25D 7/12 ,  C25D 3/38 ,  C25D 21/10 301 ,  C25D 21/12 J ,  H01L 21/288 E

Fターム (35件)：

4K023AA19 ,  4K023CA01 ,  4K023CA02 ,  4K023CA04 ,  4K023CA09 ,  4K023CB03 ,  4K023CB05 ,  4K023CB13 ,  4K023CB14 ,  4K023CB15 ,  4K023CB32 ,  4K023CB34 ,  4K023DA07 ,  4K023EA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB08 ,  4K024AB11 ,  4K024AB19 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA01 ,  4K024CA06 ,  4K024CA15 ,  4K024CA16 ,  4K024CB02 ,  4K024CB21 ,  4K024CB24 ,  4K024FA01 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD22 ,  4M104DD33 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20