特許
J-GLOBAL ID：200903050353081899
光半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096359
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283855
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【目的】 InAlGaAs(InAlAs)系の材料を選択成長させたときに生じる側面成長層が素子に対して悪影響を及ぼすことのないようにする。【構成】 InP基板1上にSiO2 マスクを形成し、n型InPバッファ層3、n型InAlGaAs層4、n- 型InAlGaAs層5、n- 型InAlAs層/InGaAsMQW層6、n- 型InAlGaAs層7、n- 型InAlAs層8、n型InP層9を選択成長させる。マスクを除去し新たにメサ上にSiO2 マスク10を形成し、p型InP層11、n型InP層12、p型InP層13を選択成長させる〔(c)図〕。マスク10を除去し、p型InP層14、p型InGaAsキャップ層15を形成する。エピタキシャル層に溝を形成した後SiO2 膜16、p側電極16、n側電極17を形成する〔(d)図〕。
請求項（抜粋）：
第1導電型のInP上にストライプ状開孔を有する誘電体マスクを形成する工程と、前記誘電体マスクをマスクとする選択成長により第1導電型InAlGaAsクラッド層、第1導電型(Inx Al1-x )y Ga1-y As(0≦x,y≦1)活性層、第1導電型InAlGaAsクラッド層を順次成長させる工程と、前記誘電体マスクを除去し、該マスクの除去された領域に少なくとも第2導電型InP層および第1導電型InP層を順次成長させる工程と、全面に第2導電型InP層を成長させる工程と、を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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